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200v n채널 MOSFET 트랜지스터 표면 부착 IRF640NSTRLPBF

최소 명령량 : 10 PC
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가격
200v n채널 MOSFET 트랜지스터 표면 부착 IRF640NSTRLPBF
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풍모
제품 사양
사업자부 개수: IRF640NSTRLPBF
타입: 집적 회로
브랜드 이름: Original brand
원래 장소: 원 제조사
DC: 새로운 라스테스트
생산 소요 시간: 0 일
하이 라이트:

200v n채널 Mosfet Transistor

,

N 채널 MOSFET 트랜지스터 표면 Mount

,

N 채널 트랜지스터 표면 부착

기본 정보
원래 장소: 원래 공장
브랜드 이름: IOR
인증: ROHS
모델 번호: IRF640NSTRLPBF
결제 및 배송 조건
포장 세부 사항: 표준 패키징
배달 시간: 3 일 이내에
지불 조건: 사전에 전신환, 웨스턴 유니온, 엑스트랜스퍼
공급 능력: 1000
제품 설명

IRF640NSTRLPBF n채널 MOSFET 트랜지스터 200V 표면 부착 D2PAK

 

상품 상태 : 브랜드 뉴 상태 부분 : 활동가
무료 / 로에스를 이끄세요 : 불만 작용하세요 : Mosfet
증가하는 타입 : 표면 부착 패키지 : D2PAK
HIGH 표시등 :

고전력 MOSFET 트랜지스터

,

n채널 MOSFET 트랜지스터

 

 

IRF640NSTRLPBF 엔-채널 MOSFET 트랜지스터 200V 18A (Tc) 150W (Tc) 표면 부착 D2PAK

 

? 발전적인 프로세스 기술 ?

동적 드프 / dt 평가 ? 175' C 작동 온도 ?

고속 스위칭 ? 완전히 쇄도는 평가되었습니까 ?

병렬의 용이성 ?

단순한 드라이브 요구사항

 

기술

5세대 국제적인 정류기로부터의 HEXFET® 파워 모스펫은 실리콘 면적마다 낮은 온 저항을 극단적으로 달성하기 위해 고도 처리 기술을 이용합니다. HEXFET 파워 모스펫이 잘 알려지는 고속 스위칭 속도와 울퉁불퉁한 기기 디자인에 결합된 이 혜택이 폭 넓게 다양한 적용에 사용하기 위해 디자이너에게 극단적으로 효율적이고 믿을 만한 장치를 제공합니다. TO-220 패키지는 대략 50 와트에 파워 손실 레벨에 모든 상업적 산업적 적용을 위해 보편적으로 발탁됩니다. TO-220의 저열 저항과 낮은 패키지 비용은 산업 전체에 걸쳐 그것의 광역 수용에 기여합니다. D2Pak은 HEX-4까지 다이 크기를 수용할 수 있는 표면 부착 파워 패키지입니다. 그것은 어떠한 현존하는 표면 실장 패키지에서 가장 높은 파워 용량과 가장 낮은 가능한 온리지스턴스를 제공합니다. D2Pak은 그것의 낮은 내부 접속 저항 때문에 높은 현재 애플리케이션에 적합하고, 전형적 표면 장착 적용품에서 최고 2.0W를 낭비할 수 있습니다. 통공 버전 (IRF640NL)는 낮은프로파일 응용이 가능합니다.

 

제조사 인피니언 테크놀러지  
시리즈 HEXFET®  
패키징 ? 테이프 & 릴 (TR)  ?  
상태 부분 활동가  
FET은 타이핑합니다 엔-채널  
기술 MOSFET (금속 산화물)  
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 200V  
경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id) 18A (Tc)  
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다) 10V  
Id에 있는 Vgs(th) (맥스) 250uA에 있는 4V  
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 10V에 있는 67nC  
브그스 (맥스) ±20V  
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) 25V에 있는 1160pF  
FET 특징 -  
전력 소모 (맥스) 150W (Tc)  
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds 11A, 10V에 있는 150 모흠  
작동 온도 -55' C ~ 175' C (TJ)  
증가하는 타입 표면 부착  
공급자 소자 패키지 D2PAK  
패키지 / 건 TO-263-3, D2Pak (2개 리드 + 탭), TO-263AB

 

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