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한 개의 고전압 Mosfet 파워 트랜지스터 DC SIHB22N60E-E3 ROHS

최소 명령량 : 10 PC
MOQ
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한 개의 고전압 Mosfet 파워 트랜지스터 DC SIHB22N60E-E3 ROHS
풍모 갤러리 제품 설명 따옴표를 요구하십시오
풍모
제품 사양
사업자부 개수: SIHB22N60E-E3
브랜드 이름: original
타입: 집적 회로
원래 장소: 원 제조사
직류: 새로운 라스테스트
생산 소요 시간: 0 일
하이 라이트:

한 개의 Mosfet 파워 트랜지스터

,

Mosfet 파워 트랜지스터 ROHS

,

고전압 MOSFET 트랜지스터 DC
기본 정보
원래 장소: 원래 공장
브랜드 이름: VISHAY
인증: ROHS
모델 번호: SIHB22N60E-E3
결제 및 배송 조건
포장 세부 사항: 표준 패키징
배달 시간: 3 일 이내에
지불 조건: 사전에 전신환, 웨스턴 유니온, 엑스트랜스퍼
공급 능력: 1000
제품 설명

고전압 한 개의 MOSFET 파워 트랜지스터 SIHB22N60E - E3 600V 21A 패키지 D2PAK

 

FET 타입 : 엔-채널 작동 온도 : -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
패키지 : TO263-3 D2PAK
HIGH 표시등 :

n채널 MOSFET 트랜지스터

,

n채널 트랜지스터
 

 

 

고전압 한 개의 Mosfet 파워 트랜지스터 SIHB22N60E - E3 600V 21A 패키지 D2PAK

 

MSL 1 한 개의 엔-채널 MOSFET

제품 기술적 요구

제조사 비샤이 실아이코닉스  
시리즈 -  
패키징 튜브  
상태 부분 활동가  
FET은 타이핑합니다 엔-채널  
기술 MOSFET (금속 산화물)  
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 600V  
경향 - 25' Ｃ에 있는 연속배수 (Id) 21A (Tc)  
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다) 10V  
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds 11A, 10V에 있는 180 모흠  
Id에 있는 Vgs(th) (맥스) 250uA에 있는 4V  
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 10V에 있는 86nC  
브그스 (맥스) ±30V  
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) 100V에 있는 1920pF  
FET 특징 -  
전력 소모 (맥스) 227W (Tc)  
작동 온도 -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)  
증가하는 타입 표면 부착  
공급자 소자 패키지 D2PAK  
패키지 / 건 TO-263-3, D2Pak (2개 리드 + 탭), TO-263AB

 

OPA2107AU/2K5 TI PTH05050WAZ TI
THCV231-3L/CD TI TMS320DM8168CCYG2 TI
THC63LVD1024-1LTN TI PTH08T231WAD TI
TMS320F28035PNT TI TPS65920A2ZCHR TI
INA126PA TI LMH0344SQ/NOPB TI
TPS73533DRBR TI AD5412AREZ-REEL7 TI
TPS54319RTER TI ADS1241E/1K TI
IC12715001 TI TL16C552AFNR TI
THCV235-TB TI PGA204AU/1K TI
THCV236-ZY TI ADS8505IDWR TI
ADS8326IDGKR TI TMS320LF2407APGEA TI
ADS7816U/2K5 TI AM3703CUSD100 TI
DAC7558IRHBR TI TMS320DM8148CCYEA0 TI
ADSP-21489KSWZ-4B TI LMZ23610TZE/NOPB TI
TPS75801KTTR TI TPS2115ADRBR TI
태그:

Mosfet 파워 트랜지스터

고내압 트랜지스터

n채널 MOSFET 트랜지스터

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