Uv 소거 프로그램 가능한 읽기 전용 메모리 SMJ27C512-20JM 부분

빠른 세부 사항 :

UV 소거가능 프로그램 판독전용 메모리

기술 :

SMJ27C256 시리즈는 일련의 262,144 비트이고 지울 수 있는, 전기적 프로그램 가능 읽기 전용 메모리를 울트라바이얼릿라이트. 이러한 장치는 고속도를 위한 절전 CMOS 기술과 MOS와 바이폴라 회로와의 단순한 인터페이스를 사용하여 제조됩니다. (프로그램 데이터 입력을 포함하여) 모든 입력은 외부 풀업 저항을 사용하지 않고 일련 54 TTL 회로에 의해 가동될 수 있습니다. 각각 출력은 외부 저항 없이 한 시리즈 54 TTL 회로를 운전할 수 있습니다. 데이터 출력은 일반 버스에 다수의 장치를 연결하기 위한 3개 주입니다. SMJ27C256은 있습니다 핀 호환 28개 핀 256K ROM과 EPROM으로. 그것은 -55' Ｃ부터 125' Ｃ까지 작동을 위해 평가된 600 밀리리터 듀얼-인-라인 세라믹 파가크지 (Ｊ 접미사로) 제공됩니다.

이 EPROM이 (읽기 모드로) 한 개의 5V 공급으로부터 작동하기 때문에, 그것은 마이크로프로세서기반 시스템의 용도에 이상적입니다. 한 기타 지원품 (13V)는 프로그래밍해서 필요합니다.

모든 프로그래밍 신호는 TTL 레벨입니다. 이 장치는 활기에 의해 프로그램 가능합니다! 펄스 프로그래밍 알고리즘.

활기! 펄스 프로그래밍 알고리즘은 4 초의 명목상 프로그래밍 시간 동안 13V의 VPP와 6.5V의 VCC를 사용합니다. 존재하는 시스템 밖에 있는 프로그래밍을 위해 이피롬 프로그래머들은 사용될 수 있습니다. 위치는 블록에, 또는 닥치는 대로, 단독으로 프로그램을 짤 수 있습니다.

애플리케이션 :

오우 조직화된 32,768 Ｘ 8

오우 단일 +5V ±10% 전원 공급기

오우 핀 호환 현존하는 256K ROM의 것과 EPROM

오우 모든 입력 /가 TTL 호환 가능을 완전히 출력합니다

오우 절전 CMOS 기술

오우 매우 고속 활기! 펄스 프로그래밍

오우 3 주 출력 버퍼

표준 TTL과 오우 400-mV DC 보증된 잡음 면역성은 로딩됩니다

모든 입력과 출력 핀 위의 250 마의 오우 래치업 이뮤니티

오우 저출력 소실 (CMOS 입력레벨)

3Active - 165mW 최악의 경우

3Standby - 1.7mW 최악의 경우 (CMOS-입력 수준)

상술 :