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MX25L6406EM2I-12G 집적 회로 IC은 SMD 드라이브 아이씨 전자 부품을 자릅니다

최소 명령량 : 10 PC
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MX25L6406EM2I-12G 집적 회로 IC은 SMD 드라이브 아이씨 전자 부품을 자릅니다
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풍모
제품 사양
타입: 집적 회로
원래 장소: 원 제조사
부품번호: MX25L6406EM2I-12G
D/C: New+Rohs
공항: 센즈헨 또는 홍콩
생산 소요 시간: 0 일
하이 라이트:

MX25L6406EM2I-12G

,

MX25L6406EM2I-12G 집적 회로 IC 칩

,

SMD 드라이브 아이씨
기본 정보
원래 장소: 원래 공장
브랜드 이름: Original
인증: Standard Certification
모델 번호: MX25L6406EM2I-12G
결제 및 배송 조건
포장 세부 사항: 표준 패키징
배달 시간: 3 일 이내에
지불 조건: 사전에 전신환, 웨스턴 유니온, 엑스트랜스퍼
공급 능력: 10000
제품 설명

MX25L6406EM2I-12G 전자 부품 집적 회로 IC 칩 원래 IC 칩

 

본질적 항목
사업자부 개수 :
TPS2561DRCR MX25L6406EM2I-12G
타이핑하세요 :
집적 회로, 드라이브 아이씨
원산지 :
일본
브랜드명 :
원래 브랜드
기술 :
집적 회로
전압 - 고장 :
55V, 450V
주파수 - 스위칭 :
50MHZ
(와트)를 강화하세요 :
120W
작동 온도 :
90
증가하는 타입 :
SMD
전압 - 공급 (민) :
12V
전압 - 공급 (맥스) :
36V
전압 - 출력 :
110V
경향 - 출력 / 채널 :
2
주파수 :
25MHZ
애플리케이션 :
SMD
FET 타입 :
적용 가능하지 않은 NOS
경향 - 출력 (맥스) :
10A
경향 - 공급 :
25A
전압 - 공급 :
220V
주파수 - 맥스 :
25MHZ
전원 - 맥스 :
50W
허용한도 :
1.5
작용하세요 :
SMD
전압 공급 - 내부의 :
100V
주파수 - 결산일 또는 센터 :
50MHZ
경향 - 누출 ((떨어져서) 있습니다) (맥스) :
12
고립된 전력 :
33
전압 - 차단 :
24V
경향 - 낮은 출력 하이 :
55A
경향 - 피크 출력 :
12A
전압 - 포워드 (Vf) (Typ) :
35V
경향 - DC 포워드 (조건) (맥스) :
25
입력 유형 :
USB, AC, DC
출력형 :
12V, MOSFET
전류 전달비 (민) :
25
전류 전달비 (맥스) :
44
전압 - 출력 (맥스) :
55
전압 - OFF 상태 :
12
(민) 정전기 dV/dt :
34
경향 - 주도하는 트리거 (Ift) (맥스) :
52
경향 - ON 상태 (그것 (RMS)) (맥스) :
12
임피던스 :
50
임피던스 - 균형적인 균형 잡히지 않은 / :
45
학습 조직 주파수 :
25MHZ
RF 주파수 :
122
입력 범위 :
12-50
출력 전원 :
50W
주파수대 (최저 / 높은 것) :
34
상술 :
5KBS
사이즈 / 차원 :
20*21
변조 또는 프로토콜 :
SMD
조화시키세요 :
SMD
전원 - 생산 :
45
메모리 용량 :
1M
초안을 작성하세요 :
IO
변조 :
34
직렬 인터페이스 :
56
GPIO :
1
이용한 IC / 부분 :
SAA7105HBG
표준 :
5.5A
명명하세요 :
45
기억 영역형 :
2.9KB
쓰기 가능 기억 장치 :
부정
저항 (오옴) :
25
크로스 레퍼런스 :
고객 서비스와 협의하세요
상술 :
차단 (민) 8.2dB, 12dB 반사 특성
상품 이름 :
집적 회로
태그:

전자적 IC 칩

IC 칩 프로세서

집적 회로 표면 부착

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