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SN65HVDA100QDRQ1 집적 회로 칩 LIN 물리적 인터페이스

최소 명령량 : 10 PC
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SN65HVDA100QDRQ1 집적 회로 칩 LIN 물리적 인터페이스
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풍모
제품 사양
타입: 집적 회로
사업자부 개수: SN65HVDA100QDRQ1
브랜드 이름: Original Brand
D/C: New+Rohs
공항: 센즈헨 또는 홍콩
생산 소요 시간: 0 일
하이 라이트:

SN65HVDA100QDRQ1

,

LIN 인터페이스 집적 회로 칩

,

LIN 물리적 인터페이스 IC

기본 정보
원래 장소: 원래 공장
브랜드 이름: Original
인증: Standard Certification
모델 번호: SN65HVDA100QDRQ1
결제 및 배송 조건
포장 세부 사항: 표준 패키징
배달 시간: 3 일 이내에
지불 조건: 사전에 전신환, 웨스턴 유니온, 엑스트랜스퍼
공급 능력: 2000
제품 설명

새로운 SN65HVDA100QDRQ1과 원래 집적 회로 IC 칩 메모리 전자 모듈 부품

 

SN65HVDA100-Q1을 위한 특징

  • AEC-Q100 (1등급)은 자동차 애플리케이션을 이수한 자격을 얻었습니다
  • LIN 2.0, LIN 2.1, LIN 2.2, LIN 2.2A와 ISO / DIS 17987-4 전기적 물리 계층 (EPL) 상술로 순응합니다
  • 5 V부터 27 V DC까지 공급과 확장된 작동
  • LIN은 스피드업을 20 킬로보우 (LIN 규정된 최대치)로 전송합니다, 고속이 유능하여서 받습니다
  • 슬립 모드 : 극히 낮은 전류 소모는 다음으로부터 웨이크 업 이벤트를 허락합니다
    • LIN은 버스를 탑니다
    • EN을 통하여 잠을 깨웁니다
  • RXD 핀 위의 웨이크업 요청
  • TXD 핀 위의 웨이크 업 소스 인식
  • 5-V 또는 3.3-V I/O 핀과 MCU와의 인터페이스
  • 높은 전자파 적합성 (EMC)
  • 외부전압 규제 기관 (INH 핀)의 지배
  • ISO9141 (k-선)을 지원합니다
  • LIN 핀 위의 ±12 kV (휴먼 바디 모델)에 대한 ESD 보호
  • LIN 핀은 -27 V에서 45 V (배터리 또는 땅에 짧은) 전압을 취급합니다
  • 자동차 환경 (ISO 7637)에서 일시적 손상에서 살아남습니다
  • V 위의 부족 전압 보호SUP
  • TXD 지배적인 상태 시간 경과 보호
  • 잘못된 잠을 깨우는 잠금과 잘못된 슬립 해제을 예방
  • 온도 셧다운
  • 언파워 이음매 또는 시스템 레벨, 이음매에 있는 지상 분리 고장안전장치는 버스 (버스 위의 무부하)을 방해하지 않습니다

SN65HVDA100-Q1을 위한 기술

SN65HVDA100-Q1 장치는 슬립 해제와 일련의 송수신기를 통합하는 로컬 상호 접속 네트워크 (LIN) 물리적 인터페이스고 보호 특징입니다. LIN 버스는 일반적으로 2.4 킬로보우 내지 20 킬로보우로부터의 자료 비율을 사용하여 저속 차량 탑재 네트워크를 위해 사용된 단일 와이어 쌍방향 버스입니다. TXD 위의 LIN 프로토콜 출력 데이타 스트림은 LIN 물리 계층 스펙과 ISO 17987에 의해 윤곽이 그려지는 것으로서 전류 제한 파형 만들기 운전사를 통하여 LIN 버스 신호 안으로 SN65HVDA100-Q1에 의해 전환됩니다. 수신기는 LIN 버스로부터 자료 스트림을 전환하고, RXD를 통하여 자료 스트림을 출력합니다. LIN 버스는 2가지 상태를 가지고 있습니다 : 지배적인 상태 (전압 가까운 지상)과 역행한 상태 (전압 가까운 배터리). 역행한 상태에서, LIN 버스는 내부 풀업 저항기 (30 kΩ)과 시리즈 다이오드로 높이 끌어내지고 따라서 어떤 외부 pull-up 성분도 응답자 신청서에 필요하지 않습니다. 지휘자 애플리케이션은 LIN 상술마다 시리즈 다이오드 외에 외부 풀업 저항 (1 kΩ)을 요구합니다.

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