TSOP 현명한 5 부트 블록 플래쉬 메모리 IC 5V PA28F400B5B80 2 / 4 / 8 메가비트

PA28F400B5B80 - 인텔 코퍼레이션 - 현명한 5 부트 블록 플래쉬 메모리 가족 2, 4, 8 메가비트

빠른 세부 사항 :

현명한 5 부트 블록 플래쉬 메모리 가족 2, 4, 8 메가비트

기술 :

이 데이터 시트는 2-와 4-와 8-Mbit 통증 5 부트 블럭 플래시 메모리를 위한 상술을 포함합니다.

1.0 절은 기능 개관을 제공합니다. 2.0, 3.0, 및 4.0 절은 제품과 기능성을 묘사합니다. 5.0 절은 양쪽 상업적 확대된 온도 작동을 위해 전기적이고 타이밍 규격을 상술합니다. 마침내, 6.0과 7.0 절은 주문과 참조 정보를 제공합니다.

애플리케이션 :

* 스마트볼타게 기술

현명한 5 플래시 : 5 Ｖ가 읽는다고, 5 Ｖ 또는 12 Ｖ는 씁니다

12 Ｖ VPP에 있는 상승된 프로그래밍 처리량

* 바른 고성능 읽기

- 4-mbit 2- : 60이지 나노 초 엑세스 시간

- 8-mbit : 70이지 나노 초 엑세스 시간

* x8 또는 x8/x16-Configurable 데이터 버스

* 저 전력 소모

- 5 Ｖ에 60 마 읽기전류를 최대한으로 씁니다

자동 전력 예금 : <1 mA="" Typical="" Standby="" Current="">

* 최적화된 배열 블로킹 구조

- 16-KB 보호된 부트 블록

- 2개 8-KB 매개 변수 블록

- 96-kb와 128-KB 주요 블록

- 상부 또는 최저 부트 로케이션

* 확장온도동작

-40 +85 'Ｃ에 대한 'Ｃ

* 산업표준 패키징

40, 48-리드 TSOP, 44-리드 PSOP

* 확장블록은 싸이클을 없앱니다

- 상업적 임시에 있는 100,000이지 사이클

- 확대된 임시에 있는 10,000이지 사이클

* 하드웨어 데이터 보호 특징

- 부트 블록 동안 절대적 하드웨어 보호

- 전력 전이 동안 기록 폐쇄

* 자동화된 말 / 바이트 프로그램과 블록은 쉽게 지워집니다

- 커맨드 유저 인터페이스

- 상태 레지스터

- 삭제 중지 역량

* SRAM 적합한 기록 인터페이스

* 리셋 / 깊이인 전원 끄기 입력

기동 작동에게 저-전력 모드와 리셋을 제공합니다

* 적합한 핀 배치 2, 4, 및 8 메가비트

* ETOXTM 플래쉬 기술

0.6 Ｕ 이톡스 IV 초기의 생산

0.4 Ｕ 이톡스 Ｖ 더 뒤이 생산

상술 :