SSF 플래쉬 메모리 IC은 2 메가비트 / 4 메가비트 X8 SST29SF040-55-4C-WH ROHS를 통합했습니다

SST29SF040-55-4C-wh - 실리콘 저장 기술, INC - SMALL-SECTOR 2 메가비트 / 4 메가비트 (X8)는 번쩍거립니다

빠른 세부 사항 :

2 메가비트 / 4는 (x8) 작은 분야 플래시를 마빗

기술 :

SST29SF020/040과 SST29VF020/040은 256K x8 / 512K x8 CMOS 작은 분야 플래시 (SSF)가 SST의 독점적, 고성능 CMOS 슈퍼플래시 기술로 제조했다는 것 입니다. 분리 게이트 셀설계와 후폭 산화물 터널링 분사기는 다른 접근법과 비교해서 더 좋은 신뢰성과 제조가능성을 이룹니다.

SST29SF020/040 장치는 (계획을 작성하거나, 4.5-5.5V 전원 공급기로 쉽게 지워집니다). SST29VF020/040 장치는 (계획을 작성하거나, 2.7-3.6V 전원 공급기로 쉽게 지워집니다). 이러한 장치는 x8 메모리를 위한 제덱 스탠다드 핀 할당에 따릅니다.

고성능 바이트 프로그램을 특징으로 할 때, SST29SF020/040과 SST29VF020/040 장치는 20 usec의 최대 바이트 프로그램 시간을 제공합니다. 부주의한 기입에 대하여 보호하기 위해, 그들은 온 칩 하드웨어와 소프트웨어 데이터 보호 구조를 가지고 있습니다. 설계되고, 제조되고, 앱의 넓은 스펙트럼에 대하여 시험되어 이러한 기기는 적어도 10,000의 사이클의 보증된 내구성으로 제공됩니다. 데이터 유지는 100년 이상으로 평가됩니다.

SST29SF020/040과 SST29VF020/040 기기는 프로그램 또는 구성 또는 데이터메모리의 편리하고 경제적 갱신을 요구하는 응용에 적합합니다. 모든 시스템 애플리케이션을 위해, 소비 전력을 낮추는 동안, 그들은 의미 심장하게 성능과 신뢰성을 개선합니다. 그들은 본래 더 적은 에너지를 사용하고 동안 선택적 플래쉬 기술 보다 쉽게 지워지고 프로그래밍합니다. 소비된 총 에너지는 애플리케이션의 인가 전압과 전류와 시간의 기능입니다. 누구에게 전압 범위를 고려해 볼 때, 슈퍼플래시 기술이 프로그래밍하기 위해 전류를 더 덜 사용하고 더 짧은 것이 시간을 없애게 한 이후, 누구 동안 소비된 총 에너지는 쉽게 지워지거나 프로그램 동작이 선택적 플래쉬 기술 이하입니다. 프로그램과 데이터와 구조 저장 응용을 위한 비용을 낮추는 동안 그들은 또한 유연성을 향상시킵니다.

슈퍼플래시 기술은 고정되어서 공급하고 수로부터 독립한 시간의 없애고 프로그램을 짜고의 발생한 / 프로그램 사이클을 없앱니다. 그러므로, 시스템 소프트웨어 또는 하드웨어는 그것의가 시간 증가의 없애고 프로그램을 짠 선택적 플래쉬 기술로 필요한 것처럼 수정되거나 정격출력이 감소될 필요가 없고와 함께 쌓/ 프로그램 사이클을 없앱니다.

고밀도, 표면 부착 요구조건을 충족시키기 위해, 장치가 32 납 PLCC와 32에서 제공되는 SST29SF020/040과 SST29VF020/040은 티에스오피 패키지를 이끕니다.

애플리케이션 :

256K x8 / 512K x8으로 구성된 오우

오우 단일 전압 읽기와 기록 작업

- SST29SF020/040을 위한 4.5-5.5V

- SST29VF020/040을 위한 2.7-3.6V

오우 뛰어난 신뢰도

- 내구성 : (전형적인) 100,000이지 사이클

- 100년 데이터 유지보다 더 큽니다

오우 저 전력 소모 :

- 유효 전류 : (전형적인) 10 마

- 대기 전류 :

SST29SF020/040을 위한 (전형적인) 30 uA

SST29VF020/040을 위한 (전형적인) 1 uA

오우 섹터 소거 역량

- 유니폼 128 바이트 섹터

오우는 리드 억세스 타임 단식합니다 :

- SST29SF020/040을 위한 55 나노 초

- SST29VF020/040을 위한 70 나노 초

오우 래치 주소와 자료

오우는 빨리 쉽게 지워집니다고 바이트 프로그램 :

- 섹터 소거 타임즈 지 : 전형적인 18 부인 ()

- 칩 삭제 타임즈 지 : 전형적인 70 부인 ()

- 바이트 프로그램 타임즈 지 : 14 우리 (전형적인)

- 칩 재기록 시간 :

SST29SF/VF020을 위한 (전형적인) 4 초

SST29SF/VF040을 위한 (전형적인) 8 초

오우 자동 라이트 타이밍

- 내부 VPP 세대

오우 엔드-오브-라이트 탐지

- 토글 비트

- Data# 폴링

SST29SF020/040을 위한 오우 TTL 입출력 호환성

SST29VF020/040을 위한 오우 CMOS 입출력 호환성

오우 제덱 스탠다드

- 플래시 기억 소자 핀아웃과 명령어 세트

이용 가능한 오우 패키지

- 32 리드 PLCC

- 32 리드 TSOP (8mm Ｘ 14 밀리미터)

오우 모든 비-납 (무연) 장치가 로에스 순응한

상술 :