FM1608-120 - 램트론 인터내셔널 코퍼레이션 - 64KB 바이트 와이드 프람 메모리
빠른 세부 사항 :
64Kb 바이트 와이드 프람 메모리
기술 :
FM1608은 진보적 강유전성 절차를 사용하는 64 킬로비트 비휘발성 메모리입니다. 강유전체 메모리 소자 또는 프람은 있습니다
불휘발성이 그러나 RAM으로서 다른 점에서 작동합니다. 안전성 관심, 기능적 단점과 배터리 내장 SRAM의 시스템 디자인 복잡성을 제거하는 동안 그것은 10년간 데이터 유지를 제공합니다. 그것의 빠른 기입과 높은 기입 내구성은 그것을 다른 유형의 비휘발성 메모리보다 월등하게 합니다.
FM1608의 내부 시스템 작동은 매우 다른 RAM 기반 장치와 유사합니다. 메모리 판독과 라이트사이클스는 동등 방송시간을 요구합니다. 그러나 프람 기억은 그것의 유일한 강유전체 기억 장치 절차로 인해 불휘발성입니다. BBSRAM과는 달리, FM1608은 참으로 한덩어리로 되어 있는 비휘발성 메모리입니다. 그것은 연합된 심각한 불이익 없는 빠른 기입의 똑같은 기능 이득에 모듈을 제공합니다고
배터리 또는 하이브리드 메모리 솔루션.
이러한 능력은 바이트 와이드 환경에서 빈번하거나 빠르 쓸 것을 요구하여 비휘발성 기억 장치 응용을 위해 FM1608 이상으로 만듭니다. 하락 패키지가 단순한 설계를 용이하게 하는 반면에, 서피스-마운트 패키지가 새로운 디자인의 제조가능성을 향상시킨다는 것은 사실인 것의 유용성은 개선합니다. FM1608은 -40' Ｃ에서 +85' Ｃ의 산업용 온드범위 위에서 보증된 작동을 제공합니다.
애플리케이션 :
64K 비트 강유전성 비휘발성 램
8,192 Ｘ 8 비트로서 조직된 ·
· 높은 내구성 100억 (1010년) 읽기 /는 씁니다
85' Ｃ에 있는 0년 데이터 유지
· 노딜레이티엠은 씁니다
· 진보적 높은 신뢰도 강유전성 절차
BBSRAM 모듈보다 월등합니다
· 무전원 관심
· 한덩어리로 되어 있는 신뢰성
· 진실 표면 부착 솔루션이 아니오 단계를 개정합니다
수분과 충격과 진동을 위해 뛰어난 ·
전압 언더슈트를 부정하도록 저항한 ·
적합한 SRAM과 EEPROM
· JEDEC 8Kx8 SRAM과 EEPROM 핀 배치
· 120 나노 초 엑세스 시간
· 180 나노 초 순환 주기
동등한 접속 & 사이클이 시간을 맞춘 ·는 읽고, 씁니다
저전압 동작
· 15 마 유효 전류
· 20 마 대기 전류
산업 표준 구성
· 산업적 온도 -40' +85에 대한 Ｃ' Ｃ
· 28 핀 SOP 또는 하락
상술 :
| 부품 번호. | FM1608 |
| 제조사 | 램트론 인터내셔널 코퍼레이션 |
| 공급 능력 | 10000 |
| 데이트코드 | 10+ |
| 패키지 | 28 핀 SOP 또는 하락 |
| 발언 | 새롭고 원종축 |
