AT49BV320DT-70TU 32-메가비트 (2m X 16) 3-볼트 유일한 플래쉬 메모리

AT49BV320DT-70TU - 아트멜사 - 32-메가비트 (2M X 16) 3-볼트 유일한 플래쉬 메모리

빠른 세부 사항 :

32 메가비트 (2M x 16) 3 볼트 단지 플래쉬 메모리

기술 :

AT49BV320D(T)는 각각 16개 비트의 2,097,152마리의 말로 구성된 2.7 볼트 32 메가비트 플래쉬 메모리입니다. 메모리는 소거 동작을 위해 71개 분야로 분할됩니다.

장치는 48개 리드 티에스오피 패키지와 47개 볼 CBGA 패키지로 제공됩니다. 장치는 어떠한 버스 충돌도 피하기 위한 CE와 OE 제어신호를 가지고 있습니다. 그것을 이상적으로 인시스템 프로그래밍에 적합하게 만들면서, 이 장치는 단일 전원공급장치를 사용하여 읽히거나 재프로그램됩니다.

장치는 읽기 모드로 전원을 켭니다. 명령 시퀀스는 장치를 프로그램과 같은 다른 운영형태에 위치시키고 쉽게 지워지는데 사용됩니다. 기기는 어떠한 부문에 데이터를 보호할 역량을 가집니다 (페이지 6에 탄력적 섹터 보호를 보세요).

기기의 유연성을 증가시키기 위해, 그것은 삭제 중지와 프로그램 일시 중단 기능을 포함합니다. 이 기능은 삭제를 두거나 어떠한 걸리는 시간을 위한 유지에 프로그래밍하고 메모리 이내에 어떤 남아있는 섹터로부터 사용자 읽은 데이터 또는 어떤 남아있는 섹터에게 프로그램 데이터를 허용할 것입니다.

VPP 핀은 데이터 보호를 제공합니다. VPP 입력이 0.4V, 프로그램보다 낮습니다 그리고 쉽게 지워지세욜 때 기능은 억제됩니다. VPP가 1.65V 또는 그이상에 있을 때, 정상적 프로그램과 소거 동작은 수행될 수 있습니다. 10.0V에 VPP와 함께, 프로그램 (듀얼 말 프로그램 커맨드) 작전은 가속화됩니다.

애플리케이션 :

오우 단일 전압 읽기 / 기록 작업 : 2.65V 내지 3.6V

오우 엑세스 시간 - 70 나노 초

오우 분야는 구조를 없앱니다

- 개별적 기록 폐쇄와 63 32K (64K 바이트) 부문 워드

- 개별적 기록 폐쇄와 8 4K (8K 바이트) 부문 워드

오우 빠른 프로그램 시간 말 - 10 우리

오우는 타임즈 지를 섹터 소거 금식시킵니다 - 100명의 부인

오우는 / 재개 특징을 보류하고 쉽게 지워지고 프로그래밍합니다

- 중단됨으로써 어떠한 부문으로부터 읽고 프로그래밍하는 지원은 쉽게 지워집니다 다른 부문의

- 다른 어떤 워드의 프로그래밍을 보류함으로써 어떠한 워드도 읽는 것 지원합니다

오우 저전력인 작동

- 10 마 활동가

- 15 uA 대기

기록 보호와 가속 프로그램 작전을 위한 오우 VPP 핀

섹터 보호를 위한 오우 WP 핀

장치 초기화를 위한 오우 리셋 입력

오우 탄력적 섹터 보호

오우 TSOP과 CBGA 패키지 옵션

오우 위 또는 이용 가능한 바닥 부트 블록 구성

오우 128 비트 보호 레지스터

오우 최저치 100,000은 사이클을 없앱니다

오우 공통 플래시 인터페이스 (CFI)

오우 그린 (Pb/Halide-free) 패키징

상술 :