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메모리 512Mb 집적 회로 칩 100 나노 초 MX29GL512FHT2I 10Q

최소 명령량 : 10 PC
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메모리 512Mb 집적 회로 칩 100 나노 초 MX29GL512FHT2I 10Q
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풍모
제품 사양
사업자부 개수: MX29GL512FHT2I-10Q
브랜드 이름: new origina
기술: IC
패키지: 릴 트레이 튜브 박스
D/C: 뉴스트
쓰기 가능 기억 장치: 표준
하이 라이트:

512Mb 집적 회로 칩

,

집적 회로 칩 100 나노 초

,

MX29GL512FHT2I 10Q

기본 정보
원래 장소: 원래 공장
인증: Standard Certification
모델 번호: MX29GL512FHT2I
결제 및 배송 조건
포장 세부 사항: 표준 패키징
배달 시간: 3 일 이내에
지불 조건: 사전에 전신환, 웨스턴 유니온, 엑스트랜스퍼
공급 능력: 500
제품 설명

MX29GL512FHT2I-10Q 쓰기 주기 시간 - 단어가 100NS 엑세스 시간 100 NS 전압에 안내방송을 합니다 - 공급 2.7V ~ 3.6V

 

MX29GL512FHT2I

 

 

제품 상태 전혀 새로운 디자인을 위해
기억 영역형 비휘발성입니다
기술 플래시 -도 또한
기억기접합 대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 100 나노 초
엑세스 시간 100 나노 초
전압 - 공급 2.7V ~ 3.6V
작동 온도 -40' C ~ 85' C (TA)
공급자 소자 패키지 56-TSOP
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담당자 : Jack
전화 번호 : +8618098974141
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